Epitara™-4'' 分子束外延系统

Epitara™ MBE SYSTEM

产品描述

主要特点 / MAIN FEATURE

●专为中大型尺寸样品设计，可满足从基础研究到中试生产的多种实验需求

● 空间优化设计，确保系统具备高效运行与未来升级能力，方便实验室布局、安装与后期维护

● 适配大型电子束蒸源，满足多样化样品制备需求

● 扩展性强，可与其他超高真空系统实现互联

● 集成控制系统简化操作，支持程序预设，降低操作复杂度，提升实验可靠性和重复性

技术参数 / TECHNICAL DATA

生长单元	极限真空		优于7×10^-11mbar
	腔体尺寸		O.D. 550 mm（可定制）
	冷屏及挡板		标配
	源炉挡板类型及驱动方式		集成/独立，气动/手动
	蒸发源接口		CF63×4+CF100×6/CF63×4+CF100×4+CF250×1（可定制）
	烘烤温度		Max 150℃
	样品台	衬底尺寸	兼容4inch及以下
		挡板驱动方式	电动/气动
		加热方式	热辐射
		温度范围	RT-800℃（K型热偶）
制备单元	极限真空		优于5×10^-10mbar
	烘烤温度		Max 150℃
	预留接口		Sample manipulator （CF200×1） Ar/H Sputtering（CF35×2） LEED（CF150×1） Viewport（CF100×1+CF35×1）
进样单元	极限真空		优于5×10^-8mbar
	存样数量		≥6片
	烘烤温度		Max 150℃
	传样方式		手动
控制单元	基础配置			触屏面板
				数据记录
				样品台控制
				日志，系统管理
				阀门自动操作
	可选配置			工艺生长软件
选配项	缓冲单元			极限真空：优于7×10^-10mbar
				烘烤温度：Max150℃
				预留接口：Sample transporter（CF200×1），Viewport（CF100×1）
	原位监测			QCM
				RGA
				BFM
				LEED
				RHEED

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