桌面式高性能原子层沉积系统

●小型化设计，占地极小，灵活适配各类实验环境
●原子级薄膜生长与埃米级厚度精确控制
●优异保形沉积能力，适用于复杂结构及粉体表面改性
●支持多种氧化物及复合薄膜沉积
●提供成熟工艺包支持，实现快速部署与稳定复现
●兼容4英寸晶圆与微纳粉体样品

产品描述

ALD 系统性能测试数据 / ALD TEST DATA

技术参数 / TECHNICAL DATA

腔体材质	316SS
工作温度	RT~350℃
控温精度	±1℃
基板尺寸	最大单片4''样品（可定制6''样品）
2个低温前驱体气路(RT~150℃)	TMA，H₂O etc
2个高温前驱体气路(RT~150℃)	Hf(NMe₂)₄，Zr(NMe₂ )₄ etc
前驱体控温精度	±1℃
气体流量控制		最高3路气体流量控制，流量范围0~500sccm
载气		N₂，Ar
反应气		O₂/O₃，H₂
样品非均匀性		≤1%@氧化铝，平均5点，边缘去除5mm
软件控制		图形化设计控制，PID自动控温，高度定制的工艺程序，30天操作记录
选配项		QCM原位监测模块、臭氧发生器、手套箱

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桌面型ALD系统0612